Một hình ảnh rò rỉ cho thấy Galaxy S9 sẽ được trang bị vi xử lý mạnh nhất của Qualcomm cùng bộ nhớ trong “khủng”.
Theo hình ảnh được đăng tải bởi Slashleaks, người từng có nhiều thông tin chính xác về thiết bị di động, Galaxy S9 sẽ trang bị vi xử lý Snapdragon 845 mạnh nhất vừa được Qualcomm ra mắt. So với Galaxy S8, máy sẽ có màn hình kích thước nhỏ hơn (5,77 inch so với 5,8 inch).
Thông số Galaxy S9 bị rò rỉ.
Cũng trong hình ảnh này, thời gian ra mắt của Galaxy S9 là vào tháng 1/2018. Điều này trùng khớp với một số tin đồn trước đó, cho rằng smartphone mới sẽ được Samsung đẩy nhanh tiến độ trình làng vào đầu năm sau, thay vì phải đợi đến cuối quý I như lịch trình ra mắt Galaxy S trước đây.
Trong khi đó, theo BGR, Samsung đã bắt đầu sản xuất chip nhớ với dung lượng lên tới 512 GB cho smartphone. Tay bút Chris Smith của trang này dự đoán rằng, khả năng cao bộ nhớ mới sẽ áp dụng cho Galaxy S9, qua đó biến smartphone này có bộ nhớ trong cao nhất thế giới.
Hiện tại, đã có một số rò rỉ về Galaxy S9. Theo Android Headlines, máy có thể được trang bị RAM 4 GB hoặc 6 GB, sử dụng màn hình “vô cực” Super AMOLED độ phân giải 2K, camera kép đặt dọc… Riêng máy quét vân tay vẫn đặt ở phía sau, ngay phía dưới cụm camera thay vì nằm ngang hàng như Galaxy Note8.
Bảo Lâm
Theo VNE
0 comments:
Post a Comment